硅电压调整二极管祼芯片晶原

硅电压调整二极管具有临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件,在反向击穿时,在一定的电流范围内或者说在一定功率损耗范围内,端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。

根据击穿电压来分类,主要被作为稳压器或电压基准元件使用,可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压,称为双向稳压管。

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描述

硅电压调整二极管具有临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件,在反向击穿时,在一定的电流范围内或者说在一定功率损耗范围内,端电压几乎不变,表现出稳压特性,广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。

根据击穿电压来分类,主要被作为稳压器或电压基准元件使用,可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压,称为双向稳压管。

硅电压调整二极管祼芯片晶原分类

– MM系列   200 mW

– BZ系列   225 mW
– BZX84C系列   225 mW
– 1N5221B-1N5271B系列  500 mW
– 1N4731(A)-1N4764(A)系列  1W
– 温度补偿齐纳二极管

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