描述
SiC基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层，广泛应用于航天、航空、雷达和核能开发的领域、石油地热的勘探、变频空调开发、平板电视的应用以及太阳能变换的领域。
碳化硅祼芯片晶原分类
– CREE SiC芯片晶圆
碳化硅二极管祼芯片晶原
SiC基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层，广泛应用于航天、航空、雷达和核能开发的领域、石油地热的勘探、变频空调开发、平板电视的应用以及太阳能变换的领域。
SiC基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层，广泛应用于航天、航空、雷达和核能开发的领域、石油地热的勘探、变频空调开发、平板电视的应用以及太阳能变换的领域。
SiC基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层，广泛应用于航天、航空、雷达和核能开发的领域、石油地热的勘探、变频空调开发、平板电视的应用以及太阳能变换的领域。
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